| 摘要 |
Die Erfindung stellt eine Projektionsanlage für die Mikrolithographie zur Abbildung eines Objektfeldes, beinhaltend ein Objektiv, einen oder mehrere Manipulatoren zur Manipulation eines oder mehrerer optischer Elemente des Objektivs, eine Regelungseinheit oder Steuereinheit zur Regelung beziehungsweise Steuerung des einen oder der mehreren Manipulatoren, eine Bestimmungseinrichtung zur Bestimmung mindestens eines oder mehrer Bildfehler des Objektivs, einen Speicher, beinhaltend obere Schranken für eine oder mehrere Spezifikationen des Objektivs, darunter obere Schranken für Bildfehler und/oder Auslenkungen für die Manipulatoren bereit, wobei die Bestimmung einer Überschreitung einer der oberen Schranken durch einen der Bildfehler und/oder einer Überschreitung einer der oberen Schranken durch eine der Manipulationsauslenkungen durch Regelung beziehungsweise Steuerung wenigstens eines Manipulators innerhalb von maximal 30 S oder 10 S oder 5 S oder 200 Ms oder 20 Ms oder 5 Ms oder 1 Ms eine Unterschreitung der oberen Schranken bewirkbar ist. |
