| 发明名称 |
Verfahren zum Bilden einer Gate-Elektrode in einem Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10354814(B4) |
申请公布日期 |
2010.04.08 |
| 申请号 |
DE20031054814 |
申请日期 |
2003.11.21 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
DONG, CHA DEOK;SON, HO MIN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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