Procédé d'application d'une couche de bioxyde de germanium à structure cristalline tétragonale sur un corps de germanium,申请号FR19650042582-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Procédé d'application d'une couche de bioxyde de germanium à structure cristalline tétragonale sur un corps de germanium
摘要
申请公布号	FR1477472(A)	申请公布日期	1967.04.21
申请号	FR19650042582	申请日期	1965.12.16
申请人	ASSOCIATED SEMICONDUCTOR MANUFACTURERS LIMITED	发明人
分类号	H01L23/29	主分类号	H01L23/29
代理机构		代理人
主权项
地址

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