发明名称 Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
摘要 Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, in welcher wenigstens eine optische Baugruppe (9a) mit wenigstens einem mechanisch kontrolliert aktuierbaren optischen Element (8a) in einer Struktur (6) gelagert ist, wobei zur Durchführung der mechanischen Aktuierung eine Steuersignalübertragungseinrichtung (11) und/oder eine Energieübertragungseinrichtung (12) vorgesehen ist, welche wenigstens während bestimmter Betriebszustände der Projektionsbelichtungsanlage (1) keine parasitären mechanischen Effekte in die optische Baugruppe (9a) einbringt.
申请公布号 DE102008049616(A1) 申请公布日期 2010.04.08
申请号 DE20081049616 申请日期 2008.09.30
申请人 CARL ZEISS SMT AG 发明人 FISCHER, JUERGEN;SCHOEPPACH, ARMIN;ORTH, MATTHIAS;MUEHLBERGER, NORBERT;RASSEL, THORSTEN
分类号 G03F7/20;G02B7/182 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
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