发明名称 |
Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, in welcher wenigstens eine optische Baugruppe (9a) mit wenigstens einem mechanisch kontrolliert aktuierbaren optischen Element (8a) in einer Struktur (6) gelagert ist, wobei zur Durchführung der mechanischen Aktuierung eine Steuersignalübertragungseinrichtung (11) und/oder eine Energieübertragungseinrichtung (12) vorgesehen ist, welche wenigstens während bestimmter Betriebszustände der Projektionsbelichtungsanlage (1) keine parasitären mechanischen Effekte in die optische Baugruppe (9a) einbringt. |
申请公布号 |
DE102008049616(A1) |
申请公布日期 |
2010.04.08 |
申请号 |
DE20081049616 |
申请日期 |
2008.09.30 |
申请人 |
CARL ZEISS SMT AG |
发明人 |
FISCHER, JUERGEN;SCHOEPPACH, ARMIN;ORTH, MATTHIAS;MUEHLBERGER, NORBERT;RASSEL, THORSTEN |
分类号 |
G03F7/20;G02B7/182 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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