Halbleiterbauelement mit vergrabenem Siliziumwiderstand

摘要

Es wird eine eingebettete oder vergrabene Widerstandsstruktur hergestellt, indem ein Halbleitermaterial amorphisiert und nachfolgend in einem polykristallinen Zustand rekristallisiert wird, wodurch für ein hohes Maß an Kompatibilität mit konventionellen polykristallinen Widerständen, etwa Polysiliziumwiderständen, gesorgt wird, wobei das Abscheiden eines speziellen polykristallinen Materials vermieden wird. Somit können polykristalline Widerstände vorteilhaft mit aufwendigen Transistorarchitekturen auf der Grundlage von Nicht-Silizium-Gateelektrodenmaterialien kombiniert werden, wobei auch für ein gutes Leistungsverhalten der Widerstände im Hinblick auf die parasitäre Kapazität gesorgt ist.