Thyristor mit kathodenseitiger Feldstoppzone und Verfahren zur Herstellung eines Thyristors mit kathodenseitiger Feldstoppzone

摘要

Die Erfindung betrifft einen asymmetrisch sperrenden Thyristor mit einem Halbleiterkörper (1), in dem in einer vertikalen Richtung (v), ausgehend von einer Rückseite (14) hin zu einer der Rückseite (14) gegenüberliegenden Vorderseite (13), ein erster Emitter (8) von einem ersten Leitungstyp (p), eine erste Basis (7) von einem zum ersten Leitungstyp (p) komplementären zweiten Leitungstyp (n), eine zweite Basis (6) vom ersten Leitungstyp (p) und ein Emitter (5) vom zweiten Leitungstyp (n) aufeinanderfolgend angeordnet sind. Zwischen der ersten Basis (7) und der zweiten Basis (6) ist eine Feldstoppzone (70) vom zweiten Leitungstyp (n) angeordnet, die eine höhere Netto-Dotierstoffkonzentration aufweist als die erste Basis (7).