Transistor mit eingebettetem Si/Ge-Material mit einer besseren substratüberspannenden Gleichmäßigkeit

摘要

In modernen Halbleiterbauelementen wird eine verformungsinduzierende Halbleiterlegierung nahe an dem Kanalgebiet angeordnet, indem Aussparungen auf der Grundlage eines nasschemischen Ätzprozesses hergestellt werden, der ein anisotropes Ätzverhalten im Hinblick auf unterschiedliche kristallographische Orientierungen besitzt. In einer Ausführungsform wird TMAH verwendet, das zusätzlich zu dem anisotropen Ätzverhalten eine hohe Ätzselektivität in Bezug auf Siliziumdioxid besitzt, wodurch äußerst dünne Ätzstoppschichten ermöglicht werden, die zusätzlich für die Möglichkeit sorgen, den Abstand zu dem Kanalgebiet weiter zu verringern, ohne in unerwünschter Weise zur gesamten Prozessvariabilität beizutragen.