发明名称 Phase-Change Random Access Memory Device And Method of Manufacturing The Same
摘要
申请公布号 KR100951660(B1) 申请公布日期 2010.04.07
申请号 KR20080028298 申请日期 2008.03.27
申请人 发明人
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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