一种制备悬挂可变电容的工艺方法

摘要

本发明公开了一种制备悬挂可变电容的工艺方法，步骤包括：(1)利用标准CMOS工艺制备金属-电介质-金属结构；(2)在上极板上的钝化层中刻蚀窗口，其中，窗口边缘线相对上极板的电容部分的边缘外扩1μm～2μm；(3)对上极板进行悬挂处理，将已开窗口范围内的两极板间两层电介质，和下极板与衬底间电介质腐蚀掉；(4)进行干燥防粘处理。本发明具有低寄生电容电阻和宽调节范围高品质因数，所采用的悬挂结构能减小衬底涡漩电流及串联电阻来提高品质因数，减小寄生电容增加调制范围和线性度。基于体硅互补金属氧化物半导体工艺，无需额外掩模板，后期处理引入微机电系统悬挂工艺，制作成本低，成品率高。

主权项

一种制备悬挂可变电容的工艺方法，其步骤包括：(1)利用标准CMOS工艺制备金属-电介质-金属结构，其过程为：在衬底上沉积磷硅玻璃组成的电介质层，然后光刻定义接触孔，采用氢氟酸湿法腐蚀制作接触孔，在去胶并清洗后沉积金属铝制作第一支撑柱和第一层金属层后，再光刻定义下极板图形，做湿法腐蚀刻蚀成下极板形状，在已制作好的下极板上淀积一层二氧化硅，此后重复制作下极板的工艺流程制作上极板及第二支撑柱，在上极板上淀积磷硅玻璃作钝化层，上极板由电容部分和支撑网络组成，电容部分刻有释放孔；(2)在上极板上的钝化层中刻蚀窗口，其中，窗口边缘线相对上极板的电容部分的边缘外扩1um～2um，窗口的范围大于下极板的面积；(3)对上极板进行悬挂处理，采用腐蚀剂为49％氢氟酸，温度50～70℃，腐蚀速度1769nm/min左右，腐蚀时间3～5分钟，将已开窗口范围内的两极板间两层电介质，和极板与衬底间电介质腐蚀掉；(4)进行干燥防粘处理。