一种生长ZnS单晶纳米线束的方法

摘要

本发明公开了一种表面活性剂辅助溶剂热法生长半导体化合物ZnS单晶纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂，其质量为0.3g。用水合肼作溶剂，其体积为40ml。以醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]作为锌源，以硫脲[(NH2)2CS]作为硫源，按摩尔比1∶4依次加入溶有表面活性剂的水合肼中。然后将反应釜置于烘箱中，反应时间为6h-48h，反应温度为120℃-180℃；反应结束后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnS单晶纳米线束。本发明方法简单，易于推广，适合于大规模的工业生产。

主权项

一种表面活性剂辅助下溶剂热法生长ZnS单晶纳米线的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现：以聚乙烯吡咯烷酮【PVP】作为表面活性剂，其质量为0.3g。用水合肼作溶剂，其体积为40ml。以醋酸锌【Zn(CHC3OO)2·2H2O】作为锌源，以硫脲【(NH2)2CS】作为硫源，按摩尔比1∶4依次加入溶有表面活性剂的水合肼中。然后将反应釜置于烘箱中，反应时间为6h-48h，反应温度为120℃-180℃；反应结束后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnS单晶纳米线束。