| 发明名称 | 软钎焊方法、芯片焊接用软钎料颗粒、芯片焊接软钎料颗粒的制造方法及电子零件 | ||
| 摘要 | 为了得到在芯片焊接接合电子零件的半导体元件和基板时，尽管是无铅软钎料的颗粒，但产生的空隙仍然少的颗粒，在软钎焊过热时，在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成：无色透明的由30～50原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜；以及由10～30原子％的In、40～60原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜，从而得到该颗粒，其厚度为0.05～1mm，形状与基板大致相同。 | ||
| 申请公布号 | CN1977368B | 申请公布日期 | 2010.04.07 |
| 申请号 | CN200580021535.6 | 申请日期 | 2005.05.26 |
| 申请人 | 千住金属工业株式会社 | 发明人 | 上岛稔 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I;B23K35/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种芯片焊接用软钎料颗粒，其接合电子零件的半导体元件和基板，其特征在于，该颗粒是如下一种颗粒，即，在软钎焊加热时，在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成有：无色透明的厚度为0.5～20nm，且由10～30原子％的In、40～60原子.％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜，而且，与接合于基板的半导体元件的形状大致相同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||