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发明名称 Evaluation method of defects on SOI-wafer using breakdown voltage measurement, wafer structure and wafer fabrication method thereof
摘要
申请公布号 KR100952043(B1) 申请公布日期 2010.04.07
申请号 KR20080002583 申请日期 2008.01.09
申请人 发明人
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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