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发明名称 TRANSISTOR WITH DIFFERENTLY DOPED STRAINED CURRENT ELECTRODE REGION
摘要
申请公布号 EP2171749(A1) 申请公布日期 2010.04.07
申请号 EP20080770801 申请日期 2008.06.12
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 ZHANG, DA;FOISY, MARK C.
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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