| 发明名称 | 垂直双极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种垂直双极晶体管及其制造方法，该垂直双极晶体管包括一由CMOS晶体管的阱形成的集电极区域、一通过利用高压晶体管的高压轻掺杂漏极来形成的基极区域以及一于该基极区域表面由该CMOS晶体管源漏形成的发射极区域，本发明完全利用现有的CMOS工艺，不增加额外的工艺步骤，并且使用高压晶体管的高压LDD形成基极，由于高压LDD与阱形成的PN结的结深比源漏与LDD形成的PN结的结深略深，所以形成的垂直双极晶体管的基极具有非常薄的厚度，从而提高了双极晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101692424A | 申请公布日期 | 2010.04.07 |
| 申请号 | CN200910197113.4 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 董耀旗 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/732(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种垂直双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片表面形成一由CMOS晶体管的阱形成的集电极区域；进行高压轻掺杂漏极离子注入以于该集电极区域表面形成由轻掺杂漏极结构形成的基极区域；以及进行源漏离子注入，以在该基极区域上形成该垂直双极晶体管的发射极区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||