半导体集成电路的互连结构填隙铜镀的方法与结构

摘要

一种用于形成包含互连结构(例如，铜双金属镶嵌)的集成电路器件的方法。所述方法包括提供一个衬底，以及形成一个中间电介质层覆盖在该衬底上。所述方法还包括图案化中间电介质层以形成一个接触结构，以及形成一个阻挡金属层覆盖在该接触结构上。所述方法包括形成一个包括含铜物质的籽晶层覆盖在所述阻挡金属层之上，以及应用一种含氧物质来处理所述籽晶层，以引起在所述籽晶层上形成预定厚度的氧化物层。在衬底从作用籽晶层的步骤进行转移时，所述方法使用所述氧化物层来保护所述籽晶层免受污染，以及将液态的含铜材料接触覆盖在氧化物层上以溶解该氧化物层，同时使用铜镀工艺形成一定厚度的含铜材料以开始填充所述接触结构。

主权项

一种用于形成互连结构的方法，所述方法包括：提供一个衬底；形成一个中间电介质层覆盖在所述衬底上；图案化所述中间电介质层以形成一个接触结构；形成一个阻挡金属层覆盖在所述接触结构上；形成一个包括含铜物质的籽晶层覆盖在所述阻挡金属层之上；应用一种含氧物质来处理所述籽晶层，以引起在所述籽晶层上形成预定厚度的氧化物层；在所述衬底从处理所述籽晶层的所述步骤进行转移时，使用所述氧化物层来保护所述籽晶层免受污染；以及将一种含铜材料接触于所述氧化物层之上以溶解所述氧化物层，同时形成一定厚度的含铜材料来填充所述接触结构，其中在没有破坏真空的条件下，形成所述籽晶层以及应用所述含氧物质。