发明名称 一种发光二极管的制造方法
摘要 本发明为有关一种发光二极管的制造方法,尤指可辅助芯片散热并提高光利用率的制造方法,其制造方法的流程是将具高度热传导效能的基板,表面为附设有经蚀刻加工作业的电路金属层,再在电路金属层上覆盖一防焊保护膜层,惟露出所需的焊线区,其间放置芯片的位置进行高反射表面作业,为植晶区,即可在植晶区内固植发光二极管芯片,并利用导线将芯片分别作电连接至焊线区的焊点上,再将整体基板表面,含植晶区、焊线区,进行涂布胶剂的加工作业,以完成发光二极管的芯片布线,而在发光二极管进行后续的封装加工作业,并达到散热良好、提高光反射率的出光效果的目的,并能增益发光二极管的实用效能。
申请公布号 CN101364627B 申请公布日期 2010.04.07
申请号 CN200710143527.X 申请日期 2007.08.07
申请人 阿尔发光子科技股份有限公司 发明人 丁志勇
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种发光二极管的制造方法,其是指使所述发光二极管具有良好散热功能并可提高发光反射率的制造方法,其特征在于:其制造方法的流程为:(一)在一具高度热传导效能的基板的表面上附设一具热传导性能的绝缘层;(二)再在所述的绝缘层上固设电路金属层;(三)所述基板上方的电路金属层进行蚀刻加工作业,形成露出基板表面的焊线区,而在固植发光二极管芯片位置的电路金属层的保留区域,不予蚀刻去除即设为植晶区;(四)将所述植晶区的表面进行高光反射表面处理作业;(五)在所述的植晶区内固植发光二极管芯片;(六)在芯片上利用导线分别电连接至焊线区;(七)完成发光二极管的芯片布线,其中,所述的基板为高度热能传导材料,而高度热能传导材料为金属材质或具高热传导效能的非金属材质;所述的电路金属层表面涂布有白色系的防焊保护膜层,其为具高热传导的漆料或胶料;所述的芯片位置下方的电路金属层的植晶区,其面积至少为芯片面积的五倍。
地址 中国台湾台北市