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发明名称 Phase Change Memory Device Having Encapsulating Layer for Protecting Phase Change Material And Method of Manufacturing The Same
摘要
申请公布号 KR100951661(B1) 申请公布日期 2010.04.07
申请号 KR20080028301 申请日期 2008.03.27
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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