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发明名称
抗辐射高密度晶石之结构
摘要
本创作为有关于一种抗辐射高密度晶石之结构,该抗辐射结构系包括有至少一防护层,而该防护层系由至少一原料层及至少一配料层所构成,该原料层主要系由数个成分为硫酸钡之高密度晶石所构成,而该高密度晶石系由天然矿石经筛选所分滤而得,将该原料层及该配料层混合后即完成该防护层,而后将该防护层涂布于墙上即可达到有效防护辐射能之功效,且使用者可依不同抗辐射功能而增加该防护层之厚度,亦达到不同防护效果,且亦可进一步于防护层内增设墙化层以防止该防护层龟裂。
申请公布号
TWM377332
申请公布日期
2010.04.01
申请号
TW098208964
申请日期
2009.05.22
申请人
贝克西弗股份有限公司
发明人
陈继光
分类号
B32B5/00
主分类号
B32B5/00
代理机构
代理人
主权项
一种抗辐射高密度晶石之结构,主要系透过至少一防护层涂布于墙面上,其特征在于:该防护层主要系由至少一原料层及至少一配料层所构成,该原料层主要系由硫酸钡为主要成分,将以硫酸钡为主要成分之原料层与该配料层经由混合后即完成该防护层。
地址
台北市内湖区瑞光路258巷56号3楼之1
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