低表面缺陷密度之磊晶基板的制造方法

摘要

本发明是低表面缺陷密度之磊晶基板的制造方法。该方法是先将基材表面形成多数凹洞，接着自上开始横向磊晶形成第一磊晶层，以减少基材对应发生在该等凹洞位置之缺陷向上延伸至第一磊晶层，然后于第一磊晶层上形成一对应错位于该等凹洞位置而遮覆部分表面用以阻挡基材对应发生在该等凹洞位置之间的缺陷再向上延伸的阻挡层，最后自第一磊晶层表面未被阻挡层遮覆之区域横向磊晶形成包覆阻挡层的第二磊晶层，即制得表面缺陷密度极低的磊晶基板。

主权项

一种低表面缺陷密度之磊晶基板的制造方法，包含：(a)自一基材表面向下形成多数间隔散布的凹洞；(b)于该基材表面开始横向磊晶形成一填覆入该多数凹洞中并封闭该多数凹洞的第一磊晶层；(c)于该第一磊晶层表面形成一呈现预定图像以遮覆该第一磊晶层表面预定区域的阻挡层；及(d)自该第一磊晶层表面未被该阻挡层遮覆之区域横向磊晶形成一包覆该阻挡层且低表面缺陷密度的第二磊晶层，制得该磊晶基板。