具有包围的通道电晶体之半导体元件

摘要

该半导体元件系包括一个元件隔离结构、一个包围的通道结构以及一个闸极电极。该元件隔离结构系被形成在一个半导体基板中，以界定一个主动区域。该连接源极/汲极区域的包围的通道结构系与该主动区域之下的半导体基板分隔开一段特定的距离。该闸极电极系围绕该包围的通道结构。

主权项

一种半导体元件，其系包括：一个元件隔离结构，其系形成在一个半导体基板中以界定一个主动区域；一个包围的通道结构，其系与该主动区域之下的半导体基板分隔开一段特定的距离，该包围的通道结构系连接源极/汲极区域；以及一个闸极电极，其系围绕该包围的通道结构；其中至少一个包围的通道结构系在一个闸极区域的一纵向上被形成在该主动区域之下的半导体基板中。