非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法

摘要

本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。

主权项

1.一种非易失性存储元件，其包括第一电极、第二电极、和介于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，所述第一电极与所述第二电极间的电阻值根据施加于所述第一电极与所述第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，该非易失性存储元件的特征在于：所述电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，所述第一电极和所述第二电极由不同的元素构成，构成所述第一电极的元素的标准电极电位V1、构成所述第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。