| 发明名称 | H桥电路的新栅极驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种H桥电路的新栅极驱动方法。在本发明的H桥电路中，栅极驱动器电路连接到NMOS器件(12)的栅极，其中，在H桥电路的死区时间期间，栅极驱动器电路的输出电压为从0.1V到0.4V。与常规H桥电路相比，本发明的NMOS器件(12)的栅极电压不再是0，而是被偏置为从0.1V到0.4V，从而解决了少数载流子注入和功率耗散的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101686046A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200810168145.7 | 申请日期 | 2008.09.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 郑健华;李菁;尉林鹏;赵宏伟;李蔚莹 |
| 分类号 | H03K19/003(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/003(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种H桥电路，包括：第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件；第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件，所述第一PMOS器件和所述第一NMOS器件串联连接且设置于电源和地之间；用于第一PMOS器件的栅极驱动器，连接到第一PMOS器件的栅极；以及用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路，连接到第一NMOS器件的栅极，其中，在H桥电路的死区时间期间，所述的用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路的输出电压为从0.1V到0.4V。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||