| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCTION OF A GATE STRUCTURE FOR A MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1435107(B1) |
申请公布日期 |
2010.03.31 |
| 申请号 |
EP20020790287 |
申请日期 |
2002.10.02 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HERZUM, CHRISTIAN;MUELLER, KARLHEINZ |
| 分类号 |
H01L29/423;H01L21/28;H01L29/51 |
主分类号 |
H01L29/423 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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