发明名称 一种废硅液的回收再生方法
摘要 本发明涉及一种废硅液回收再生方法,尤其涉及一种在切割硅晶片材产生的废硅液回收再生方法。其特征在于所述方法包括以下步骤:切割硅棒产生的废硅液进行离心分离,滤布孔径为800~1500目,获得硅粉料;将分离得到的硅粉料置于反应釜中,加入强氧化剂反应后,反应液进行过滤,除去有机碳杂质,强氧化剂为浓硫酸、双氧水、硝酸的一种或其混合液;将二次过滤所得硅粉料置于反应釜中,加入稀王水反应后,反应液经过滤、干燥,除去金属和金属氧化物杂质;将三次过滤所得硅粉置于直拉单晶炉中,单晶炉在真空中于800℃~1000℃下充分反应,除去表面杂质,然后冷却获得太阳能级硅片。应用此法可回收废硅液中大部分硅粉,经后续加工后可用于制造太阳能电池,不仅节约了资源,而且不产生环境污染。
申请公布号 CN101683981A 申请公布日期 2010.03.31
申请号 CN200810121060.3 申请日期 2008.09.25
申请人 浙江昱辉阳光能源有限公司 发明人 吴云才;刘伟;刘磊磊;刘文涛
分类号 C01B33/02(2006.01)I 主分类号 C01B33/02(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 代理人 徐关寿
主权项 1、一种废硅液回收再生方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:a、切割硅棒产生的废硅液进行离心分离,滤布孔径为800~1500目,获得硅粉料;b、将分离得到的硅粉料置于反应釜中,加入强氧化剂反应后,反应液进行过滤,除去有机碳杂质,强氧化剂为浓硫酸、双氧水、硝酸的一种或其混合液;c、将二次过滤所得硅粉料置于反应釜中,加入稀王水反应后,反应液经过滤、干燥,除去金属和金属氧化物杂质;d、将三次过滤所得硅粉置于直拉单晶炉中,单晶炉在真空中于800℃~1000℃下充分反应,除去表面杂质,然后冷却获得太阳能级硅片。
地址 314117浙江省嘉善县姚庄工业园宝群路8号
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