| 发明名称 | 牺牲氧化层的去除方法及相应的半导体存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种牺牲氧化层的去除方法及相应的半导体存储器的制造方法，其先去除存储单元区的牺牲氧化层，完成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构的制作后，再去除周边电路区的牺牲氧化层，从而在预清洗过程中，利用相对较厚的底氧化层来减少周边电路区衬底表面的污染及损伤程度，提高后续工艺中栅极氧化层的淀积效率和稳定性。该牺牲氧化层的去除方法包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底，其上覆盖有牺牲氧化层；去除存储单元区上的牺牲氧化层；于半导体衬底上依次制作第一氧化层、氮化层和第二氧化层，其中周边电路区上的第一氧化层与牺牲氧化层共同构成其上的底氧化层；去除周边电路区上的第二氧化层、氮化层和底氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101685797A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200810200273.5 | 申请日期 | 2008.09.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐丹;蔡信裕;孙智江;陈文丽 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1.一种牺牲氧化层的去除方法，其特征是，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底，其上覆盖有牺牲氧化层；去除所述存储单元区上的牺牲氧化层；于所述半导体衬底上依次制作第一氧化层、氮化层和第二氧化层，其中周边电路区上的第一氧化层与牺牲氧化层共同构成其上的底氧化层；去除所述周边电路区上的第二氧化层和氮化层；去除所述周边电路区上的底氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||