氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法

摘要

本发明提供氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法。在氮化镓基外延晶片中，轴Ax上的三个点P1、P2和P3的斜角分别为θ1＝0.2度，θ2＝0.4度，θ3＝0.6度。另外，点P1附近的InGaN阱层的铟含量大于点P3附近的InGaN阱层的铟含量。在轴Ax上的三个点P1、P2、P3求出参照图12说明的阱层的平均厚度，阱层的平均厚度DW1、DW2、DW3的值在轴Ax上单调地增加。另外，InGaN层的铟含量按点P1、P2和P3的顺序单调地减少。因此，提供氮化镓基外延晶片，所述外延晶片用于提供可以缩小设置在氮化镓衬底上的包含阱层的有源层的发光波长分布的结构的半导体器件。

主权项

1.一种氮化镓基外延晶片，其特征在于，具有：具有主面的氮化镓衬底，在所述氮化镓衬底的所述主面上生长的一个或多个氮化镓基半导体膜，和在所述氮化镓基半导体膜上生长的具有量子阱结构的有源层；所述有源层包含阱层，所述阱层包括含有III族元素铟的氮化镓基半导体，所述主面的法线与所述氮化镓衬底的C轴所成的斜角，在所述主面上分布，并且在从所述主面的边缘上的一点向该边缘上的另一点的通过所述氮化镓衬底的所述主面的中心点的线段上单调地增加，在从所述一点向所述另一点的所述线段上按顺序排列的n个点处的所述阱层的n个铟含量，在所述线段上单调地减少，所述n个点处的所述阱层的n个膜厚，在所述线段上单调地增加。