| 发明名称 | 低泄漏功耗SRAM存储单元结构 | ||
| 摘要 | 低泄漏功耗SRAM存储单元结构，涉及集成电路技术。本发明包括由MOS管构成的存储单元，其特征在于，在存储单元的公共源极SN连接有电压偏置电路，所述电压偏置电路用于在读写时将SN接地，在待机时提高SN电压。本发明的有益效果是，通过对SRAM结构的优化设计，大幅度的降低了泄漏功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101685668A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200910058325.4 | 申请日期 | 2009.02.13 |
| 申请人 | 成都华微电子系统有限公司 | 发明人 | 李平;杨志明;李文昌;黄国辉;周小蓉;余梅 |
| 分类号 | G11C11/417(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 | 代理人 | 刘 勋 |
| 主权项 | 1、低泄漏功耗SRAM存储单元结构，包括由MOS管构成的存储单元，其特征在于，在存储单元的公共源极SN连接有电压偏置电路(10)，所述电压偏置电路(10)用于在读写时将SN接地，在待机时提高SN电压。 | ||
| 地址 | 610041四川省成都市高新区高朋大道11号高新区科技工业园D座 | ||