| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱(pre-high-voltage well，pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱(high-voltage well，HVW)区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道(tunnel)；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。通过使用本发明的实施例，减低了高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通电阻与增高了元件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101685833A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200910140146.5 | 申请日期 | 2009.07.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄柏晟;黄宗义;陈富信;黄麒铨;巫宗晔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姜 燕;陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道，所述通道为与分别的该前高压阱区、该高压阱区与该场环的导电形式相同，且其中所述通道与分别的该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一相较具有一较低的杂质浓度；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||