半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在该半导体装置的制造方法中，器件部形成工序包含在形成第二平坦化层之前在第一平坦化层上形成覆盖多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在该辅助层形成工序中形成了平坦化辅助层，使从第一平坦化层的与基体层相反一侧的表面开始算起的平坦化辅助层的高度在形成有导电膜的区域的至少一部分和未形成有导电膜的区域的至少一部分彼此相等。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：器件部形成工序，形成具有形成在基体层的元件、覆盖所述元件的至少一部分的第一平坦化层、排列着形成在所述第一平坦化层表面的多个导电膜以及覆盖所述多个导电膜的第二平坦化层的器件部，剥离层形成工序，对所述基体层，离子注入剥离用物质，形成剥离层，贴合工序，将所述器件部贴合在基板上，以及分离工序，沿着所述剥离层分离去除所述基体层的一部分，其特征在于：所述器件部形成工序，包含在形成所述第二平坦化层之前在所述第一平坦化层上形成覆盖所述多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在所述辅助层形成工序中形成所述平坦化辅助层，使从所述第一平坦化层的与所述基体层相反一侧的表面开始算起的所述平坦化辅助层的高度在形成有所述导电膜的区域的至少一部分和未形成有所述导电膜的区域的至少一部分彼此相等。