发明名称 | 对准标记及制作方法以及其探测装置 | ||
摘要 | 本发明公开了对准标记制作方法,1、在硅片背面刻蚀出对准标记;2、在对准标记上淀积一层氧化膜。本发明还公开了上述方法制作的对准标记,对准标记设置在硅片的背面。另外,本发明还公开了对准标记的探测装置,包括光源,光源发出的光经过半反半透平面镜,再经过第一凸透镜聚焦、并经过载片台对应于硅片背面对准标记处的孔,聚焦到硅片背面的对准标记上,该光线经过对准标记反射,从对准标记上发出的信号光经过半反半透平面镜,再经过第二凸透镜聚焦,最终成像在探测器平面上。通过本发明对准标记的制作方法得到的对准标记位于硅片的背面,不占用硅片正面的使用面积,而本发明对准标记探测方法可以探测上述对准标记。 | ||
申请公布号 | CN101685275A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
申请号 | CN200810043803.X | 申请日期 | 2008.09.25 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈福成 |
分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 1.一种对准标记制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1、在硅片背面刻蚀出对准标记;2、在对准标记上淀积一层氧化膜。 | ||
地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 |