| 发明名称 | 存储元件及其读取方法 | ||
| 摘要 | 一种存储元件(1)至少由以下部分构成：第一半导体区域(100)，其具有长度、第一表面以及被第一表面包围的截面；存储单元(300)，其设置在第一表面上；以及栅极(400)，其设置在存储单元(300)上，其中，通过将第一半导体区域(100)的截面的等效截面半径设为存储单元(300)的等效氧化硅膜厚以下来实现低编程电压。通过将截面的等效截面半径r设为10nm以下、将栅极长设为20nm以下，来将栅极电压换算的多值电平间隔设为能够在室温下识别的固有值。 | ||
| 申请公布号 | CN101689547A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880021776.4 | 申请日期 | 2008.05.23 |
| 申请人 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 林丰;松本和彦;上村崇史 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 1.一种存储元件，其特征在于至少由以下部分构成：第一半导体区域，其具有长度、第一表面以及被该第一表面所包围的截面；存储单元，其设置在上述第一表面上；以及栅极，其设置在上述存储单元上，其中，上述第一半导体区域的截面的等效截面半径在上述存储单元的等效氧化硅膜厚以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||