| 发明名称 | 具有应力器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体层(16)中形成半导体器件(10)。在半导体层(16)的顶表面上形成栅极电介质(20)。在栅极电介质(20)上形成栅极层叠(18)。在栅极层叠(18)周围形成侧壁间隔物(24)。使用侧壁间隔物(24)作为掩模，执行注入以在半导体层中形成深源极/漏极区(28、30)。在深源极/漏极区(28、30)和栅极层叠的顶表面上形成碳化硅区(32、36、34)。使用镍将碳化硅区(32、34、36)硅化。 | ||
| 申请公布号 | CN101689506A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880016955.9 | 申请日期 | 2008.04.23 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 斯特凡·措尔纳;维拉拉格哈文·德翰达帕尼;保罗·A·格吕多斯基 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李 佳;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种在半导体层中和在半导体层上形成半导体器件的方法，包括：在所述半导体层的顶表面上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上形成栅极层叠；在所述栅极层叠周围形成侧壁间隔物；使用所述侧壁间隔物作为掩模进行注入，以在所述半导体层中形成深源极/漏极区；在所述深源极/漏极区和所述栅极层叠的顶表面上形成是晶体的碳化硅区；以及使用镍来将所述碳化硅区转化为硅化物区。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||