| 发明名称 | ZnO基板以及ZnO基板的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种ZnO基板以及ZnO基板的处理方法。该ZnO基板具有适合晶体生长的表面。Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面中，OH基的存在大致为0。为此，基板处理方法为，在Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面上的最终处理是pH3以下的酸性湿蚀刻处理。由此，能够防止产生Zn的氢氧化物，能够使ZnO基板上的薄膜的结晶缺陷密度非常小。 | ||
| 申请公布号 | CN101688326A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880022544.0 | 申请日期 | 2008.06.27 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原健;汤地洋行;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 1、一种ZnO基板，其特征在于，在MgxZn1-xO(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面上，OH基的存在大致为0。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||