发明名称 电场增强结构及使用其的检测装置
摘要 本发明的各个方面涉及电场增强结构(100)和使用这样的电场增强结构的检测装置(600、700、800)。在本发明的一个方面中,电场增强结构(100)包括具有表面(104)的衬底(102)。所述衬底(102)能够支持具有平面模式频率的平面模式(114)。多个纳米特征(106)与所述表面(104)相关联,并且每一个纳米特征(106)都呈现出具有近似等于平面模式频率的局部表面等离体子频率的局部表面等离体子模式(116)。
申请公布号 CN101688809A 申请公布日期 2010.03.31
申请号 CN200880021938.4 申请日期 2008.06.25
申请人 惠普开发有限公司 发明人 D·法塔尔;Z·李;W·童;D·斯图尔特;J·布拉克斯托克
分类号 G01J3/44(2006.01)I;G01J4/00(2006.01)I 主分类号 G01J3/44(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 李 娜;王洪斌
主权项 1、一种电场增强结构(100),包括:衬底(102),其包括表面(104),所述衬底能够支持具有平面模式频率的平面模式(114);以及与所述衬底的所述表面相关联的多个纳米特征(106),每一个所述纳米特征都呈现出局部表面等离体子(“LSP”)模式(116),所述局部表面等离体子模式(116)具有近似等于所述平面模式频率的LSP频率,其中当被激发时每一个所述纳米特征的LSP模式和所述平面模式相长地互相干涉。
地址 美国德克萨斯州