| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体存储装置。提供了一种廉价的高性能非易失性存储器，其能够无限次随机写入和读出。单位存储单元由MISFET(108)和电阻变化元件(113)构成，所述MISFET(108)具有与半导体衬底电隔离的沟道体，所述电阻变化元件具有一端与MISFET的漏极相连的二端子结构。MISFET(108)起易失性存储元件的作用，而电阻变化元件(113)起非易失性存储元件的作用，从而在电源关断之前MISFET(108)中所储存的信息被复制到电阻变化元件(113)，并且在电源接通时电阻变化元件中所储存的信息被传送到MISFET(108)，因而，MISFET(108)被用作能够随机写入和读出的易失性存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101685828A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200910178533.8 | 申请日期 | 2009.09.27 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 粟屋信义;中野贵司 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;G11C11/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：多个存储单元，每一个都具有MISFET和电阻变化元件，所述MISFET具有与半导体衬底电隔离的沟道体，所述电阻变化元件具有一个端子与所述MISFET的漏极电连接的二端子结构，其中所述MISFET起易失性存储元件的作用，用于储存第一状态和第二状态，在所述第一状态下，所述沟道体中积蓄多数载流子，在所述第二状态下，所述沟道体中的多数载流子被释放，并且所述电阻变化元件起非易失性存储元件的作用，用于保持具有不同电阻值的两个或更多个状态以及用于在施加电压时以可逆方式在所述状态之间切换。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||