GaN基单芯片白光发光二极管外延材料

摘要

本发明涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料，包括一衬底和在衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、应力弛豫层、InGaN多量子阱结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层；该应力弛豫层为InGaN/GaN超晶格应力调制层，由交替生长的InGaN层和GaN层组成，其中交替生长的InGaN层和GaN层的生长周期为6-500，对应的厚度为10nm-3μm；InGaN层中的In组分在1％～35％范围内。本发明通过在N型GaN层和量子阱发光层之间，增加应力弛豫的InGaN/GaN超晶格应力调制层，增强In的偏析效应，并形成不同组分的InGaN量子点。这些量子点发射不同波长的光的混合实现白光发光；从根本上降低了白光发光二极管成本，增加了光出射效率和利用效率，提高了白光发光二极管的整体性能。

主权项

1、一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料，包括一衬底，和在所述的衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、应力弛豫层、InGaN多量子结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层；其特征在于：所述的应力弛豫层为InGaN/GaN超晶格应力调制层，该超晶格应力调制层由交替生长的InGaN层和GaN层组成，其中交替生长的InGaN层和GaN层的生长周期为6-500；所述的InGaN层中的In组分在1％～35％范围内；所述的InGaN/GaN超晶格应力调制层的厚度为10nm-3μm。