| 发明名称 | 用于氮化镓的外延生长的基片 | ||
| 摘要 | 本发明的主题是基片，其能够用作用于基于氮化镓的层的外延生长的基片，且包括在其至少一个面上涂覆有至少一个包括至少一个基于氧化锌的层(13、24)的多层叠层的载体材料(11、21)。该基片涂覆有III-N或II-VI型半导体结构，且其特征在于在该载体材料(11、21)和所述至少一个基于氧化锌的层(13、24)之间设置至少一个中间层(12、23)，该中间层(12、23)包括至少两种选自锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)或锑(Sb)的元素的氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN101689511A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880024413.6 | 申请日期 | 2008.07.11 |
| 申请人 | 法国圣戈班玻璃厂 | 发明人 | E·马特曼;P·鲁特勒;F·利恩哈特 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/363(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段家荣;林 森 |
| 主权项 | 1.基片，其能够用作用于基于氮化镓的层的外延生长的基片，且包括在其至少一个面上涂覆有至少一个包括至少一个基于氧化锌的层(13、24)的多层叠层的载体材料(11、21)，所述基片涂覆有III-N或II-VI型半导体结构，其特征在于在该载体材料(11、21)和所述至少一个基于氧化锌的层(13、24)之间设置至少一个中间层(12、23)，该中间层(12、23)包括具有至少两种选自锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)和锑(Sb)的元素的氧化物。 | ||
| 地址 | 法国库伯瓦 | ||