| 发明名称 | 一种自对准金属硅化物的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种自对准金属硅化物的制造方法，包含以下步骤：提供一基板，在该基板上形成阱区；在形成有阱区的基板上生长第一介电层；再形成一层多晶硅以形成多晶硅栅极结构；在阱中植入离子形成轻掺杂区；形成侧间隙壁，而后形成漏极以及源极结构；在形成有栅极结构的基板上方再沉积第二介电层；对第二介电层进行微影和蚀刻，以去除部分第二介电层，仅在栅极结构之间的PN结上方剩余有部分介电层；再沉积金属层，至少在栅极结构上形成一层金属硅化物。采用本发明的一种自对准金属硅化物的制造方法可以使SRAM中P型主动区域和N型阱之间的PN结的崩溃电压较高，使SRAM的漏电流得到改善。 | ||
| 申请公布号 | CN101685779A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200810211772.4 | 申请日期 | 2008.09.23 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 刘波;蔡政泽;黄利华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 1.一种自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一基板，在该基板上采用离子植入方法形成阱区；在形成有阱区的基板上经热生长后再对准和蚀刻形成第一介电层；再形成一层多晶硅后经掺杂，再经对准和蚀刻形成多晶硅栅极结构；在阱中植入离子形成轻掺杂区；沉积氧化物和氮化物，蚀刻后形成侧间隙壁，而后经离子植入形成漏极以及源极结构；在形成有栅极结构的基板上方再沉积第二介电层；对第二介电层进行微影和蚀刻，以去除部分第二介电层，仅在栅极结构之间的PN结上方剩余有部分介电层；再沉积金属层，至少在栅极结构上形成一层金属硅化物。 | ||
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||