发明名称 一种参考电压电路
摘要 本实用新型提供一种参考电压电路,包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管,所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管,且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同,其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂,第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。采用相同的阈值调节注入技术,可以使两个NMOS晶体管的导电沟道分布完全相同,这样可以使两个NMOS晶体管的阈值电压和跨导随温度变化的程度相同,从而由这两个NMOS晶体管构成的参考电压电路输出的电压随工艺变化很小,稳定性好。
申请公布号 CN201435022Y 申请公布日期 2010.03.31
申请号 CN200920153847.8 申请日期 2009.05.05
申请人 BCD半导体制造有限公司 发明人 张美玲;胡林辉;陆云;程坤
分类号 G05F3/24(2006.01)I 主分类号 G05F3/24(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明;王宝筠
主权项 1、一种参考电压电路,包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管,其特征在于,所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管,且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同,其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂,第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。
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