发明名称 | 一种参考电压电路 | ||
摘要 | 本实用新型提供一种参考电压电路,包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管,所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管,且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同,其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂,第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。采用相同的阈值调节注入技术,可以使两个NMOS晶体管的导电沟道分布完全相同,这样可以使两个NMOS晶体管的阈值电压和跨导随温度变化的程度相同,从而由这两个NMOS晶体管构成的参考电压电路输出的电压随工艺变化很小,稳定性好。 | ||
申请公布号 | CN201435022Y | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
申请号 | CN200920153847.8 | 申请日期 | 2009.05.05 |
申请人 | BCD半导体制造有限公司 | 发明人 | 张美玲;胡林辉;陆云;程坤 |
分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
主权项 | 1、一种参考电压电路,包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管,其特征在于,所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管,且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同,其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂,第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。 | ||
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