发明名称 The method for manufacturing non-volatile memory device having charge trap layer
摘要
申请公布号 KR100950478(B1) 申请公布日期 2010.03.31
申请号 KR20080049329 申请日期 2008.05.27
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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