发明名称 |
磁阻效应元件及磁性随机存取存储器 |
摘要 |
一种磁阻效应元件,具有:磁化自由层;分隔层,与磁化自由层相邻设置;第一磁化固定层,与分隔层相邻地设置在与磁化自由层相反的一侧;以及至少两个第二磁化固定层,与磁化自由层相邻设置。磁化自由层、第一磁化固定层、及第二磁化固定层具有与膜面大致垂直的方向的磁化成分。磁化自由层具有:两个磁化固定部;和配置在两个磁化固定部之间的磁畴壁移动部。构成磁化自由层的两个磁化固定部的磁化,在与膜面大致垂直的方向上被固定为彼此大致反向平行。磁畴壁移动部具有与膜面垂直的方向的磁各向异性。 |
申请公布号 |
CN101689600A |
申请公布日期 |
2010.03.31 |
申请号 |
CN200880021922.3 |
申请日期 |
2008.06.16 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
深见俊辅;石绵延行 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L29/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙志湧;李 亚 |
主权项 |
1.一种磁阻效应元件,具有:磁化自由层;分隔层,与所述磁化自由层相邻设置;第一磁化固定层,与所述分隔层相邻地设置在与所述磁化自由层相反的一侧;以及至少两个第二磁化固定层,与所述磁化自由层相邻设置,所述磁化自由层、所述第一磁化固定层、及所述第二磁化固定层具有与膜面大致垂直的方向的磁化成分,所述磁化自由层具有:两个磁化固定部;和配置在所述两个磁化固定部之间的磁畴壁移动部,所述两个磁化固定部中的一方与所述至少两个第二磁化固定层中的一个相邻,所述两个磁化固定部中的另一方与所述至少两个第二磁化固定层中的另一个相邻,所述第一磁化固定层的至少一部分被设置为与所述磁畴壁移动部的至少一部分重叠,构成所述磁化自由层的所述两个磁化固定部的磁化,在与膜面大致垂直的方向上被固定为彼此大致反向平行,所述磁畴壁移动部具有与膜面垂直的方向的磁各向异性。 |
地址 |
日本东京 |