| 发明名称 | 在金属基板上制造高效率紫外线垂直式发光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 提供制造由AlInGaN或AlGaN组成的紫外线(UV)垂直式发光二极管(VLED)结构的方法，该结构较已知AlInGaN或AlGaN发光二极管(LED)结构具有较佳的晶体品质及更快的成长速率。通过在载体基板上形成牺牲性GaN层，接着在该牺牲性GaN层上沉积发光二极管(LED)堆迭而完成。然后在后续处理步骤中移除该牺牲性GaN层。 | ||
| 申请公布号 | CN101689553A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880022949.4 | 申请日期 | 2008.05.02 |
| 申请人 | 旭明光电股份有限公司 | 发明人 | 陈长安 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1.一种制造一垂直式发光二极管结构的方法，包括：在一蓝宝石基板上成长一牺牲性GaN层；在所述牺牲性GaN层上形成一发光二极管堆迭，所述发光二极管堆迭包括AlInGaN及AlGaN的至少一者；在所述发光二极管堆迭上沉积一或多层金属基板；移除所述蓝宝石基板；及移除所述牺牲性GaN层。 | ||
| 地址 | 台湾省苗栗县 | ||