边发射发光二极管阵列及其制备和使用方法

摘要

本发明涉及边发射发光二极管阵列，制备该边发射发光二极管阵列的方法，以及由该方法制得的加工产品。

主权项

1、一种边发射发光二极管，该边发射发光二极管包括：(a)基底，该基底上面包含至少一个突起；(b)第一导电层，该第一导电层与所述突起的至少一个表面共形地接触；(c)活性区域，该活性区域与所述第一导电层共形地接触，其中，该活性区域包括相互之间具有界面边界的p型部分和n型部分；以及(d)第二导电层，该第二导电层与所述活性区域共形地接触，其中，当空穴与电子在所述活性区域内复合时，所述活性区域发射不相干光，并且其中，该不相干光以与所述基底的平面不平行的方向而从该发光二极管中发射出来。