| 发明名称 | 第Ⅳ族衬底表面上的氮化物半导体元件层结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件，该层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上，该第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时，该第IV族衬底表面的单元晶格具有C2对称，但不具有比C2对称更高的旋转对称。该第III族氮化物层结构在直接邻接该第IV族衬底表面处具有由三元或四元的Al<sub>1-x-y</sub>In<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>N构成的籽晶层，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1。由此实现了高质量的单晶生长。本发明的优点在于可以在c面、a面和m面GaN的生长中获得高的可实现的晶体质量，以及轻易地全部或部分移除衬底的可能性，这是因为这比在(111)取向的衬底上更容易以湿法化学方式进行。 | ||
| 申请公布号 | CN101689483A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880022501.2 | 申请日期 | 2008.04.28 |
| 申请人 | 阿祖罗半导体股份公司 | 发明人 | 阿明·达德加;阿洛伊斯·克罗斯特 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 贾静环 |
| 主权项 | 1、具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件，所述层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上，所述第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成，其特征在于，当不考虑表面重构时，所述第IV族衬底表面的单位晶格具有C2对称，但不具有比C2对称更高的旋转对称，其中所述第III族氮化物层结构在直接邻接所述第IV族衬底表面处具有由GaN或AIN构成的或者由三元或四元的Al1-x-yInxGayN构成的籽晶层，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1。 | ||
| 地址 | 德国马格德堡 | ||