发明名称 | 激光产生的等离子体EUV光源 | ||
摘要 | 揭示了一种等离子体产生系统,该系统具有靶材料微滴源(比如锡微滴)和激光器(比如脉冲式二氧化碳激光器),激光器产生的光束照射在照射区域处的微滴,等离子体产生EUV辐射。对于该设备,上述微滴源可以包括从一孔出射的流体以及在该流体中产生扰动的子系统,这种扰动产生了具有不同初始速度的微滴,从而使至少一些相邻的微滴对在到达上述照射区域之前就合并到一起了。在一个实现方式中,上述扰动可以包括频率调制的扰动波形,在另一个实现方式中,上述扰动可以包括振幅调制的扰动波形。 | ||
申请公布号 | CN101687102A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
申请号 | CN200880024221.5 | 申请日期 | 2008.06.11 |
申请人 | 西默股份有限公司 | 发明人 | G·瓦斯恩冦 |
分类号 | A61N5/06(2006.01)I | 主分类号 | A61N5/06(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种设备,包括:等离子体产生系统,所述等离子体产生系统包括靶材料微滴源以及激光器,激光器所产生的光束用于照射位于照射区域处的微滴,等离子体用于产生EUV辐射,其中,微滴源包括从一孔出射的流体以及在该流体中产生扰动的子系统,这种扰动用于产生具有不同初始速度的微滴,从而使至少一些相邻的微滴对在到达所述照射区域之前合并到一起。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |