| 发明名称 | 一种磁控管溅射装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，更具体地，涉及一种在真空溅射镀膜时使用的溅射装置，包括：磁控管(1)和电磁线圈(6)，彼此同轴相对放置，其中电磁线圈(6)可以沿着磁控管(1)中心轴线远近移动。通过控制电磁线圈(6)的电流大小及方向，和改变电磁线圈与磁控管的相对位置，可以方便有效地改变磁控管和基片区域的磁场位形分布，改变基片区域的等离子体密度。此外当电磁线圈(6)通以低频交流电时，靶材表面的刻蚀跑道变宽，刻蚀更均匀，可以简单有效的提高靶材利用率，同时可以改善沉积薄膜的厚度和性能在空间上的不均匀。本发明具有结构简单，方便、易操作等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN100596312C | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200610155915.5 | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 肖金泉;张小波;孙超;宫骏;华伟刚;石南林;闻立时 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张志伟 |
| 主权项 | 1.一种磁控管溅射装置，其特征在于：包括磁控管(1)和电磁线圈(6)两个部分，所述磁控管(1)和电磁线圈(6)同轴相对放置；所述的电磁线圈(6)沿磁控管(1)中心线移动放置在磁控管(1)外侧或基片(5)旁或两者之间的任一位置；调节电磁线圈的电流大小及方向，产生一个与磁控管同轴的辅助磁场；所述的电磁线圈(6)所施加的励磁电流为低频交流，低频范围为10-1000Hz，电流大小和频率可以改变，电流大小变化范围在使电磁线圈产生10-500高斯强度内。 | ||
| 地址 | 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||