| 发明名称 | 设计为用于气相沉积系统中的阱 | ||
| 摘要 | 本发明提供了气相沉积系统和与该系统相关的方法。所述系统可设计成包括如下特征：能够促进高质量的沉积；简化制造、改进和使用；以及减少所述系统的占地面积，以及其它优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101684550A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200910170785.6 | 申请日期 | 2005.06.27 |
| 申请人 | 剑桥纳米科技公司 | 发明人 | 道韦·J·蒙斯马;吉尔·S·贝克 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨献智;田军锋 |
| 主权项 | 1.一种设计为用于气相沉积系统中的阱，以捕获气态物质，其中所述阱的多数表面区域基本上平行于通过该阱的气态物质流。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||