发明名称 |
锥刺形无ITO电极结构和等离子显示屏上基板的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种锥刺形无ITO电极结构,包括金属电极X和金属电极Y,其中,金属电极X的放电部和金属电极X的放电部为锥刺形以形成尖端放电。本发明还公开了上述锥刺形无ITO电极结构的等离子显示屏的上基板的制作方法。由于采用锥刺形无ITO电极结构,金属电极X的放电部和金属电极Y的放电部都为锥刺形,以形成尖端放电,降低着火电压,同时遮盖面积比较小,从而增加透光率。 |
申请公布号 |
CN101685741A |
申请公布日期 |
2010.03.31 |
申请号 |
CN200810223470.9 |
申请日期 |
2008.09.28 |
申请人 |
四川世纪双虹显示器件有限公司 |
发明人 |
曹瑞林 |
分类号 |
H01J17/04(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J17/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
尚志峰 |
主权项 |
1.一种锥刺形无ITO电极结构,包括金属电极X和金属电极Y,其特征在于,所述金属电极X的放电部和所述金属电极Y的放电部为锥刺形以形成尖端放电。 |
地址 |
100085北京市海淀区上地信息路11号 |