| 摘要 |
L'invention porte sur la fabrication d'une grille submillimétrique comportant : - la réalisation d'un masque (1) à ouvertures submillimétriques (10), dit masque à réseau, sur la face principale, à partir d'une solution de nanoparticules colloïdales avec une température de transition vitreuse Tg donnée, le séchage de la couche de masquage à une température inférieure à Tg, - la formation de la grille électrocondutrice à partir du masque à réseau (1) comportant dans cet ordre: un dépôt d'au moins un matériau électroconducteur, dit de grille, de résistivité électrique inférieure à 10 ohm.cm, un enlèvement de la couche de masquage, révélant la grille mère un dépôt éventuel, par électrodéposition, d'un matériau électroconducteur, dit de surgrille (6), la surface sous jacente à la grille-mère étant alors diélectrique, -un détachement, de ladite grille mère ou la surgrille, d'une épaisseur d'au moins 500 nm L'invention porte aussi sur la grille détachée |
