| 发明名称 | 表面处理方法，晶体基材，和半导体设备 | ||
| 摘要 | III族氮化物晶体膜的表面处理方法，III族氮化物晶体基材，具有外延层的III族氮化物晶体基材，和半导体设备III族氮化物晶体膜的表面处理方法，包括将III族氮化物晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的pH值x和氧化-还原电位值y(mV)同时满足y≥-50x+1,000和y≤-50x+1,900的关系。 | ||
| 申请公布号 | CN100595035C | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200610077029.5 | 申请日期 | 2006.04.26 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二;西浦隆幸 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I;B24B19/22(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/304(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1.GaxAlyIn1-x-yN晶体膜的表面处理方法，其中0≤x，0≤y，并且x+y≤1，该方法包括：将该晶体膜的表面进行机械研磨或机械打磨；和将该晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的pH值x和氧化-还原电位值y(mV)同时满足由表达式(1)和表达式(2)表示的关系：y≥-50x+1,000 (1)y≤-50x+1,900 (2)其中在抛光之后受影响层的厚度是50nm或更低，所述“受影响层”是指其中晶格次序不整的层，该层通过对晶体膜的表面进行研磨、打磨或抛光而在晶体膜的表面上形成，其中在该晶体膜的抛光之后表面粗糙度Ry是5nm或更低，并且在该晶体膜的抛光之后表面粗糙度Ra是0.5nm或更低。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||